1、砷化镓材料也可以采用离子注入掺杂工艺直接制造集成电路，尽管由砷化镓取代硅、锗的设想尚未实现，但它在激光、发光和微波等方面已显示出优异的性能。
2、砷化镓外延技术还有分子束外延和金属有机化合物汽相沉积外延。
1、砷化镓材料也可以采用离子注入掺杂工艺直接制造集成电路，尽管由砷化镓取代硅、锗的设想尚未实现，但它在激光、发光和微波等方面已显示出优异的性能。
2、砷化镓外延技术还有分子束外延和金属有机化合物汽相沉积外延。
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