简述隧道击穿的机理
发布时间：2025-10-08 | 来源：互联网转载和整理
隧道击穿又称齐纳击穿，其机理是材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向增加时，空间电荷中的电场随着增强。
这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。
在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由点子-空穴对。
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隧道击穿又称齐纳击穿，其机理是材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向增加时，空间电荷中的电场随着增强。
这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。
在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由点子-空穴对。